丝袜电影 TI发力GaN，产能增四倍

发布日期：2024-10-27 18:00    点击次数：157

（原标题：TI发力GaN丝袜电影，产能增四倍）

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德州仪器（TI）本日秘书已驱动在日本会津的工场分娩氮化镓（GaN）功率半导体。跟着会津厂参加分娩，加上位于德州达拉斯的现存GaN制特地业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可加多至四倍之多。

TI 的本领与制造资深副总裁Mohammad Yunus暗意：「以跳跃十年的GaN芯片筹画与制造专科学问，咱们已奏效考证8吋GaN本领，并在会津伸开量产；这是现今膨大性最高且最具资本竞争力的GaN制造本领。这个里程碑使咱们领有更多的GaN芯片自有产能，并在2030 年前将里面制造的比率进步至95%以上，同期也让咱们可从多个TI据点进行采购，确保系数这个词高功率、节能半导体GaN家具组合的可靠供应。」

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GaN作念为硅的替代决议，这款半导体材料可在好多边界中提供上风，包括节能、开关速率、电源搞定决议尺寸与分量、举座系统资本，以及在高温与高压要求下的性能等。 GaN芯片可提供更高的功率密度，也便是在更小的空间提供更多功率，使其能应用于札记型电脑或活动电话的电源转接器，或是更小、更节能的加热与空调系统和家用电器马达。

TI暗意，目下TI已提供最凡俗的整合式GaN功率半导体家具组合，从低电压到高电压皆包含在内，借此达成最为节能、可靠且具高功率密度的电子家具。

TI 的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian暗意：「哄骗GaN，TI就能更有恶果地在工致的空间中提供更高效的功率丝袜电影，这亦然鼓吹咱们繁密客户翻新的主要商场需求。诸如伺服器电源、太阳能发电和AC/DC转接器等系统的筹画师正濒临必须要减少功耗并进步动力恶果的挑战，他们关于TI高性能GaN芯片可靠供应的需求也有增无已。TI的整合式GaN功率级家具组合让客户可达成更高的功率密度、进步易用性，并镌汰系统资本。」

此外，凭借TI的专利硅基氮化镓制程、流程跳跃8000 万小时的可靠性测试，并具备整合式保护功能，TI的GaN芯片能确保高电压系统安全无虞。

TI强调，新产能使用现今市面上开头进的树立来制造GaN芯片，因此可进步家具质能与制程恶果，同期还能提供资本上风。加多GaN制造范畴的性能上风使其可将GaN芯片进步至较高的电压，从900伏特驱动，跟着时辰推移加多至更高的电压，借此进一步鼓吹机器东说念主、再活泼力和伺服器电源等应用的动力恶果与尺寸翻新。

此外，TI的扩大投资包含于本年稍早在12吋晶圆上奏效进行GaN制造的试行功课。 TI合手续扩大的GaN制程本领不错填塞谐和至12吋晶圆上，让其能随时把柄客户需求进行休养，并在将来移转至透过12吋本领进行分娩。

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